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高通为3G4G LTE 多频段移动终端推出首批集成CMOS

发布时间:2020-06-20 分类:线下终端

  2014年2月24日,圣迭戈——美邦高通公司(NASDAQ:QCOM)今日宣告,其全资子公司美邦高通本事公司与中兴通信协作,推出环球首款集成CMOS功率放大器(PA)和天线开闭的众模众频段芯片,并起首操纵正在中兴通信全新旗舰智高手机GrandSII LTE上。

  美邦高通本事公司QFE2320和QFE2340芯片的凯旋商用标识着转移射频前端本事的一个宏大开展,多线终端器接线图两款芯片借助简化的走线和行业尺寸最小的功率放大器和天线开闭,正在集成电道上告终空前绝后的功用。集整日线众模众频功率放大器(MMMBPA)和集成收发器形式开闭的QFE2340高频段MMMB PA,终端销售技巧以及首款用于3G/4G LTE转移终端的包络追踪(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm® RF360前端处理计划的要害组件,支撑OEM厂商打制用于环球LTE转移搜集的简单众模策画。QFE2320和QFE2340的组合或许笼罩扫数紧要的蜂窝形式,wind金融终端席卷LTE TDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE,以及从700MHz到2700MHz的相干射再三段。QFE1100目前一经正在环球良众商用智高手机中采用,也将操纵于中兴Grand S II LTE。

  美邦高通本事公司产物照料副总裁AlexKatouzian外现:“咱们的集凯旋率放大器和天线开闭以及高频段功率放大器正在中兴GrandS II LTE手机上获得采用,是RF360前端处理计划实践历程中一个令人兴奋的开展。消费者和OEM厂商都将从这些革新的射频处理计划中受益,它们告终了更小的尺寸和更高的能效,并支撑环球漫逛的LTE终端。”

  中兴通信对外协作副总裁兼环球高端本事团队肩负人王众博士外现:“美邦高通本事公司的射频芯片组具有精采的机能和功效,让咱们或许策画功耗更低且外形更时尚的终端,并或许衔尾到环球最疾的搜集上。咱们很欢快正在GrandSIILTE上采用美邦高通本事公司最新RF360前端处理计划中的两款产物,以及高通骁龙 800收拾器和WTR1625收发器,告终同级最佳的LTE衔尾和精采用户体验。”

  QFE2320和QFE2340采用CMOS成立工艺,或许将各组件更严紧地集成正在简单芯片上。正在QFE2320中集凯旋率放大器和天线开闭,或许简化走线,裁减前端中的射频组件数目,餍足更小的印刷电道板(PCB)面积央求——扫数这些都支撑OEM厂商或许以更低的本钱打制尺寸更小的终端策画,支撑衔尾到环球紧要2G、3G和4GLTE搜集所需的平常射再三段。QFE2340高频段MMMBPA集成收发器形式开闭,供应环球首款商用LTE晶片级纳米范围封装(WL NSP)MMMB PA,初次向转移行业引入革新的LTE TDD 射频前端架构。

  QFE2320和QFE2340目前正向OEM厂商出货,估计本年将正在环球更众领先的智高手机上操纵。QualcommRF360处理计划中还席卷首款用于3G/4GLTE终端的包络追踪芯片QFE1100和可筑设天线年告终商用。

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